China revoluciona indústria com novo substrato de 12 polegadas e desafia o mercado global de chips com inovações que prometem reduzir custos
Em 13 de novembro, na Semicon Europe 2024, em Munique, Alemanha, a fabricante chinesa de substratos de carbeto de silício (SiC), SICC, anunciou o lançamento do primeiro substrato de carbeto de silício de 300 mm (12 polegadas) da indústria. Isso marca um passo significativo para a era dos substratos ultra-grandes de carbeto de silício.
A SICC afirmou que o material de substrato de carbeto de silício de 12 polegadas pode expandir significativamente a área utilizável para fabricação de chips em um único wafer, aumentando substancialmente o rendimento de chips qualificados.
Sob condições de produção equivalentes, essa inovação impulsiona a produção, reduz os custos unitários e melhora os benefícios econômicos, abrindo caminho para uma aplicação mais ampla dos materiais de carbeto de silício.
Status atual dos substratos de carbeto de silício: 12 polegadas surge, 8 polegadas aceleram a adoção
O mercado global de substratos de carbeto de silício é altamente competitivo, com empresas internacionais como Wolfspeed, Infineon, STMicroelectronics e ON Semiconductor liderando a indústria.
Na China, a SICC desenvolveu a capacidade de produzir os maiores substratos de carbeto de silício de 12 polegadas da indústria e alcançou a produção em massa estável de substratos de 8 polegadas.
Além da SICC, empresas como Semisic, Synlight Crystal e TankeBlue também possuem capacidades de produção de substratos de carbeto de silício de 8 polegadas.
Outros players estão envolvidos em pesquisa e desenvolvimento no campo dos substratos de carbeto de silício, embora ainda não tenham alcançado a produção em massa de substratos de 8 polegadas ou maiores.
De acordo com uma pesquisa anterior da TrendForce, a participação de mercado atual dos substratos de carbeto de silício de 8 polegadas é inferior a 2%, mas esse número deve crescer para cerca de 15% até 2026.
Alvo de substratos ultra-grandes: o próximo passo para o carbeto de silício
Com o rápido desenvolvimento de indústrias como veículos elétricos, armazenamento fotovoltaico de energia, comunicações 5G e redes inteligentes de alta tensão, a demanda por dispositivos baseados em carbeto de silício capazes de operar em condições de alta potência, alta voltagem e alta frequência aumentou. Substratos de carbeto de silício, como material crítico a montante, estão se tornando cada vez mais vitais.
Em termos de tamanho de substrato:
- Substratos de 4 polegadas são usados principalmente para dispositivos RF de nitreto de gálio.
- Substratos de 6 polegadas são o produto principal para mercados de carbeto de silício condutivo.
- Substratos de 8 polegadas estão sendo cada vez mais adotados, com líderes do setor como Wolfspeed e Infineon desenvolvendo e estabelecendo linhas de produção de 8 polegadas. Em comparação com substratos de 6 polegadas, os de 8 polegadas oferecem maior eficiência e custos mais baixos.
- Substratos de 12 polegadas, embora ainda não amplamente aplicados, devem se tornar um foco chave de desenvolvimento à medida que os avanços tecnológicos e as reduções de custo continuem no futuro.
